激光加热
低热预算
局部退火，高温作用深度浅，不影响背面器件结构
惰性气氛保护退火
晶圆尺寸：4吋/6吋/8吋
支持片厚：100μm，150μm，厚片
比接触电阻值：≤3E-5Ωcm²
比接触电阻面内一致性：＜5%
最大产能：15片/小时
SiC欧姆接触的制备
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