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SiC离子注入机

SiC离子注入机

主要特点

长寿命、大束流Al离子源设计制造技术

高效离子束传输光路技术

高温高效自动靶室技术


关键技术指标

注入元素:Al+、B+、P+、N+

晶圆尺寸:6吋(兼容4吋,光路满足8吋)

晶片温度:RT-550℃可调

注入能量:10keV400keV(单电荷)

注入剂量1E11-1E16/cm²


适应工艺

高温高能Al离子注入


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