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SiC高温外延炉

SiC高温外延炉

主要特点

单片旋转生长,成膜均匀性好

感应加热,升降温速度快

耐高温特殊材料生长室,颗粒污染低

安全可靠性高,硬件和软件双保险


关键技术指标

晶圆尺寸:4吋/6吋

最高温度:1700℃

生长速率:≥60μm/h

外延片掺杂浓度不均匀性:≤2%

表面形貌缺陷密度:≤0.15个/cm²


适应工艺

支持TCS及多种掺杂源






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