坩埚旋转机构，温度均匀性好
感应加热，升降温速度快
耐高温特殊材料生长室，颗粒污染低
安全可靠性高，硬件和软件双保险
衬底尺寸:6吋
最高温度:≥2400℃
真空极限:≤1E-4Pa
半绝缘型电阻率:≥1E8Ω·cm
导电型电阻率:0.015～0.025Ω·cm
微管密度:＜0.3个/cm²
导电型SiC单晶生长
半绝缘型SiC单晶生长
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