坩埚旋转机构,温度均匀性好
感应加热,升降温速度快
耐高温特殊材料生长室,颗粒污染低
安全可靠性高,硬件和软件双保险
衬底尺寸:6吋
最高温度:≥2400℃
真空极限:≤1E-4Pa
半绝缘型电阻率:≥1E8Ω·cm
导电型电阻率:0.015~0.025Ω·cm
微管密度:<0.3个/cm²
导电型SiC单晶生长
半绝缘型SiC单晶生长
您的姓名:
您的电话:
您的微信:
您的邮箱:
留言内容:
验 证 码: