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6英寸SiC高温外延装备在季华实验室研制成功

发布日期:2022-04-16 发布者:季华恒一(佛山)半导体科技有限公司 访问次数: 0

  近日,季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的SiC高温外延装备,取得突破性进展。团队克服了国外技术封锁、疫情所导致的重重困难,用了不到一年时间,完成了从模拟仿真、结构设计、温气场设计,加工采购,到系统软件的自主开发、安装调试及一系列软硬件联调工作,突破了多项交叉学科难题,并申请发明专利共计30余件,其中4件已获得专利授权,装备的主要功能和性能指标已达到设计要求。目前,研究人员正在进行紧张的工艺调试。

  SiC外延是SiC器件生产过程中的核心工艺,生产成本占器件生产过程的22%,其生产装备被欧美等发达国家垄断。该装备的成功研制将解决我国第三代半导体SiC器件生产用关键工艺装备全部依赖进口的“卡脖子”问题。该项目采用高稳定气体流场、压力场控制、感应加热、反应腔整机系统设计方案,结合自主开发的原位监控技术、在线清洗技术以及涂层材料和工艺,从而实现SiC外延的快速、高质量生长,同时提高设备运行的可靠性和稳定性。

  该设备核心部件全部采用国产,整机国产化率超过85%。设备实现了首次近30小时的稳定运行,本底真空度、漏率、控温精度等相关指标达到国际先进水平,升温速率、最高工艺温度等部分指标领先国际先进水平。大功率半导体团队同时展开SiC外延工艺及产品研发、SiC长晶工艺及装备开发,SiC离子注入工艺及装备开发,以科研为基础,工程化及应用化为目标,打造覆盖核心技术的全流程链研发中心,引领粤港澳大湾区的第三代半导体装备产业美好愿景。


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